![IRF640PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-irl540pbf-1406.jpg)
IRF640PBF
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
18A Tc
10V
1
125W Tc
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
180mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
200V
额定电流
18A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
125W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
51ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
18A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
1.3nF
漏源电阻
180mOhm
最大rds
180 mΩ
栅源电压
2 V
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF640PBF
Through Hole
TO-220-3
200V
18 A
18A (Tc)
4 V
180 mΩ
20 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
27 A
23A (Tc)
4 V
-
20 V
136 W
94W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
18 A
18A (Tc)
2 V
-
20 V
150 W
150W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
19 A
19A (Tc)
4 V
-
30 V
139 W
139W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
250V
14 A
14A (Tc)
4 V
280 mΩ
20 V
125 W
125W (Tc)
IRF640PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :