![NTMD6601NR2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
NTMD6601NR2G
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
600mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
215m Ω @ 2.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
连续放电电流(ID)
1.1A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
漏源击穿电压
80V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationNumber of Pins
-
NTMD6601NR2G
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
80V
1.1 A
15 V
600 mW
1 W
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
2.1 A
20 V
1.8 W
1.8 W
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
60V
1.28 A
20 V
870 mW
1.36 W
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
100V
2 A
-
1.8 W
-
8
NTMD6601NR2G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :