工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

1.6A

8 ns

1

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.8W

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

2

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

1.8W

接通延迟时间

3.4 ns

功率 - 最大

1.25W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 3.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

405pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 10V

上升时间

2.2ns

下降时间（典型值）

2.2 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Lead Free