工厂交货时间

17 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

2

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.8W

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

4.3 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

497pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.2nC @ 10V

上升时间

5.2ns

漏源电压 (Vdss)

100V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7A

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.4A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant