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ZXMHC6A07N8TC
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
1.39A 1.28A
4
13 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
870mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXMHC6A07
引脚数量
8
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.36W
接通延迟时间
1.6 ns
场效应管类型
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
250m Ω @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
166pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.2nC @ 10V
上升时间
2.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
5.8 ns
连续放电电流(ID)
1.28A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.39A
漏极-源极导通最大电阻
0.25Ohm
漏源击穿电压
-60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
ZXMHC6A07N8TC
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
60V
1.28 A
1.39A, 1.28A
20 V
870 mW
1.36 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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1.5 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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20 V
3.1 W
3.1 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
60V
2.3 A
-
20 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
60V
-5 A
3.2A
20 V
1.5 W
1.5 W
ZXMHC6A07N8TC PDF数据手册
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