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FDME1024NZT
6-UFDFN Exposed Pad
Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 20V, 3.8A, 66mO
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UFDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
25.2mg
晶体管元件材料
SILICON
2
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2008
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
ESD PROTECTION
最大功率耗散
1.4W
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.5 ns
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
66m Ω @ 3.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.2nC @ 4.5V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
1.7 ns
连续放电电流(ID)
3.8A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.4A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
高度
500μm
长度
1.6mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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FDME1024NZT
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6-UFDFN Exposed Pad
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FDME1024NZT PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
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