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FDME1024NZT

型号:

FDME1024NZT

封装:

6-UFDFN Exposed Pad

数据表:

FDME1024NZT

描述:

Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 20V, 3.8A, 66mO

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-UFDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    6

  • 质量

    25.2mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 15 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    ESD PROTECTION

  • 最大功率耗散

    1.4W

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.3W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    4.5 ns

  • 功率 - 最大

    600mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    66m Ω @ 3.4A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    300pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.2nC @ 4.5V

  • 上升时间

    2ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    1.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.8A

  • 阈值电压

    700mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.4A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    40 pF

  • 高度

    500μm

  • 长度

    1.6mm

  • 宽度

    1.6mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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