![SUP60N10-18P-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-irl540pbf-1406.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
8V 10V
1
3.75W Ta 150W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
18.3mOhm
端子位置
SINGLE
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.75W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.3m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
4.5V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
栅源电压
4.5 V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SUP60N10-18P-E3
Through Hole
TO-220-3
100V
60 A
60A (Tc)
4.5 V
20 V
3.75 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
70 A
70A (Tc)
-
20 V
-
-
Through Hole
TO-220-3
100V
54 A
54A (Tc)
-
20 V
100 W
-
Surface Mount, Through Hole
TO-220-3
100V
70 A
70A (Ta)
4 V
20 V
-
SUP60N10-18P-E3 PDF数据手册
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