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SUP60N10-18P-E3

型号:

SUP60N10-18P-E3

封装:

TO-220-3

数据表:

SUP60N10-18P

描述:

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 60A Tc

  • 8V 10V

  • 1

  • 3.75W Ta 150W Tc

  • 18 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    18.3mOhm

  • 端子位置

    SINGLE

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.75W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18.3m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2600pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    75nC @ 10V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    60A

  • 阈值电压

    4.5V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 栅源电压

    4.5 V

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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