底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

50A Tc

4.5V 10V

1

2.7W Ta 59.5W Tc

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

TrenchFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.7W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.1m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2780pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

50A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free