SUD40N02-08-E3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
2.5V 4.5V
1
8.3W Ta 71W Tc
45 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
71W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 20A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250μA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2660pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 4.5V
上升时间
120ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.0085Ohm
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
栅源电压
600 mV
高度
2.3876mm
长度
6.7056mm
宽度
6.223mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
SUD40N02-08-E3
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
40A (Tc)
12 V
71 W
8.3W (Ta), 71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
20 V
50 W
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
78 A
11.4A (Ta), 78A (Tc)
20 V
64 W
1.4W (Ta), 64W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
48 A
48A (Tc)
22 V
60 W
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
SUD40N02-08-E3 PDF数据手册
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