![SUD23N06-31L-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sud50p0615ge3-3136.jpg)
SUD23N06-31L-E3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD23N06-31L-E3 N-channel MOSFET Transistor,23 A,60 V,3-Pin TO-252
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
4.5V 10V
1
3W Ta 100W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
31mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
31m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
23A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
双电源电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
栅源电压
2 V
高度
2.3876mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
SUD23N06-31L-E3
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
23 A
2 V
20 V
100 W
3W (Ta), 100W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
18 A
2.4 V
20 V
42 W
3.8W (Ta), 42W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
24 A
2.5 V
18 V
60 W
60W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
29 A
1.6 V
20 V
68 W
68W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30 A
2.5 V
20 V
50 W
3.2W (Ta), 50W (Tc)
ROHS3 Compliant
SUD23N06-31L-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- Rohs 声明 :