SQD30N05-20L_GE3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
TO-252AA
30A Tc
4.5V 10V
1
50W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
50W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1175pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
1.175nF
漏源电阻
16mOhm
最大rds
20 mΩ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
SQD30N05-20L_GE3
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
55V
30 A
30A (Tc)
2 V
20 mΩ
20 V
50 W
50W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
30 A
20A (Tc)
2 V
-
20 V
48 W
48W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
-31 A
31A (Tc)
-4 V
-
20 V
110 W
110W (Tc)
SQD30N05-20L_GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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