![SIR890DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 50W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.9mOhm
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.9m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2747pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
30A
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIR890DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
50 A
50A (Tc)
2.6 V
20 V
5 W
5W (Ta), 50W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
46 A
46A (Tc)
1 V
20 V
3.5 W
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
35.8 A
35.8A (Tc)
-
20 V
3 W
3W (Ta), 6W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20 A
20A (Ta)
2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
35 A
35A (Tc)
2.5 V
20 V
5 W
5W (Ta), 27.7W (Tc)
SIR890DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :