工厂交货时间

8 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

18A Tc

10V

1

223W Tc

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

270mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

223W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

80 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2942pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

76nC @ 10V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

18A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

500V

栅源电压

5 V

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free