SIHP14N50D-GE3
TO-220-3
VISHAY SIHP14N50D-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
14A Tc
10V
1
208W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
208W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1144pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
58nC @ 10V
上升时间
27ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs（最大值）
±30V
下降时间（典型值）
26 ns
连续放电电流(ID)
14A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级（Eas）
56 mJ
高度
9.01mm
长度
10.51mm
宽度
4.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SIHP14N50D-GE3
Through Hole
TO-220-3
500V
14 A
14A (Tc)
3 V
30 V
208 W
Through Hole
TO-220-3
-
11.5 A
11.5A (Tc)
-
30 V
165 W
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
16 A
16A (Tc)
5 V
30 V
52 W
Through Hole
TO-220-3
500V
11 A
11A (Tc)
4 V
30 V
170 W
Through Hole
TO-220-3
-
13 A
13A (Tc)
-
30 V
195 W
SIHP14N50D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :