SIHP12N50E-GE3
TO-220-3
VISHAY SIHP12N50E-GE3. MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO220AB-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
10.5A Tc
10V
1
114W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2017
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
886pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs（最大值）
±30V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
10.5A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
500V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-Max
SIHP12N50E-GE3
Through Hole
TO-220-3
500V
10.5 A
10.5A (Tc)
4 V
20 V
114W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
9 A
9A (Tc)
4 V
30 V
44W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
13 A
13A (Tc)
3 V
25 V
30W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
12 A
12A (Tc)
4 V
20 V
33W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
500V
10.5 A
10.5A (Tc)
4 V
-
32W (Tc)
SIHP12N50E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :