![SIHG47N60EF-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
47A Tc
10V
1
379W Tc
91 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4854pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
225nC @ 10V
上升时间
56ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
56 ns
连续放电电流(ID)
47A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.065Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-Max
-
SIHG47N60EF-GE3
Through Hole
TO-247-3
600V
47 A
47A (Tc)
4 V
30 V
379W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
52 A
52A (Tc)
-
30 V
481W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
33 A
33A (Tc)
4 V
20 V
278W (Tc)
-
Through Hole
TO-274AA
500V
36 A
36A (Tc)
4 V
30 V
446W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
50 A
50A (Tc)
-
-
360W (Tc)
SIHG47N60EF-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :