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SIHG28N60EF-GE3

型号:

SIHG28N60EF-GE3

封装:

TO-247-3

数据表:

SIHG28N60EF

描述:

MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    21 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 28A Tc

  • 10V

  • 1

  • 250W Tc

  • 82 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    123m Ω @ 14A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2714pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    120nC @ 10V

  • 上升时间

    40ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    39 ns

  • 连续放电电流(ID)

    28A

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    75A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    品牌
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    Package / Case
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    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
  • SIHG28N60EF-GE3

    SIHG28N60EF-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    28 A

    28A (Tc)

    20 V

    250W (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

  • STW36NM60ND

    Through Hole

    TO-247-3

    29 A

    29A (Tc)

    25 V

    190W (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

  • SIHG33N60E-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    33 A

    33A (Tc)

    20 V

    278W (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

  • SIHG30N60E-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    29 A

    29A (Tc)

    20 V

    250W (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

  • SIHG33N60EF-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    33 A

    33A (Tc)

    20 V

    278W (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

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