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SIHG20N50E-GE3

型号:

SIHG20N50E-GE3

封装:

TO-247-3

数据表:

SIHG20N50E

描述:

VISHAY SIHG20N50E-GE3. MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO247AC-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 19A Tc

  • 10V

  • 1

  • 179W Tc

  • 48 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2017

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 电阻

    160mOhm

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    17 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    184m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1640pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    92nC @ 10V

  • 上升时间

    27ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    19A

  • 阈值电压

    4V

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    42A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    204 mJ

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
  • SIHG20N50E-GE3

    SIHG20N50E-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    19 A

    19A (Tc)

    4 V

    20 V

    179W (Tc)

    10V

  • IRFP460PBF

    Through Hole

    TO-247-3

    20 A

    20A (Tc)

    4 V

    20 V

    278W (Tc)

    10V

  • IRFP460BPBF

    Through Hole

    TO-247-3

    23 A

    23A (Tc)

    4 V

    20 V

    280W (Tc)

    10V

  • IRFP360PBF

    Through Hole

    TO-247-3

    20 A

    20A (Tc)

    4 V

    20 V

    280W (Tc)

    10V

SIHG20N50E-GE3 PDF数据手册