![SIHG20N50E-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
SIHG20N50E-GE3
TO-247-3
VISHAY SIHG20N50E-GE3. MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO247AC-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
19A Tc
10V
1
179W Tc
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2017
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
160mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
184m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
19A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
42A
雪崩能量等级(Eas)
204 mJ
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
SIHG20N50E-GE3
Through Hole
TO-247-3
19 A
19A (Tc)
4 V
20 V
179W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
20 V
278W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
23 A
23A (Tc)
4 V
20 V
280W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
20 V
280W (Tc)
10V
SIHG20N50E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :