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SIHA15N60E-E3
TO-220-3 Full Pack
VISHAY SIHA15N60E-E3 MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
15A Tc
10V
1
34W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
280m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
76nC @ 10V
上升时间
51ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
15A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.28Ohm
漏源击穿电压
650V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
SIHA15N60E-E3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
15 A
15A (Tc)
4 V
20 V
34W (Tc)
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
13 A
13A (Tc)
3 V
25 V
30W (Tc)
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TO-220-3 Full Pack
600V
12 A
12A (Tc)
4 V
20 V
33W (Tc)
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack, Variant
600V
19.3 A
19.3A (Tc)
3 V
-
32W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
500V
19 A
19A (Tc)
4 V
20 V
179W (Tc)
SIHA15N60E-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :