SI9407BDY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
4.7A Tc
4.5V 10V
1
2.4W Ta 5W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.4W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
70ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
-4.7A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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