
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
3.8W Ta 52.1W Tc
36 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
11.4mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-XDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.4m Ω @ 14.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3345pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
71nC @ 10V
上升时间
43ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
14.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
35A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1.04mm
长度
3.05mm
宽度
3.05mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI7129DN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
30V
14.4 A
35A (Tc)
20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30V
17 A
17A (Ta)
20 V
3.4 W
1.7W (Ta)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30V
17 A
17A (Ta)
20 V
-
1.7W (Ta)
SI7129DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :