![SI5475DDC-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si5475ddct1ge3-3322.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
供应商器件包装
1206-8 ChipFET™
质量
84.99187mg
6A Tc
1.8V 4.5V
1
2.3W Ta 5.7W Tc
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
32mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
电压
12V
元素配置
Single
电流
6A
功率耗散
5.7W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
32mOhm @ 5.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 8V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
-6A
阈值电压
-400mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
输入电容
1.6nF
漏源电阻
32mOhm
最大rds
32 mΩ
高度
1.1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI5475DDC-T1-GE3
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
12V
-6 A
6A (Tc)
-400 mV
32 mΩ
8 V
5.7 W
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
20V
-4.8 A
4.8A (Tj)
-1.5 V
-
8 V
1.3 W
1.3W (Ta)
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
5.4 A
5.4A (Tj)
-
-
8 V
1.3 W
1.3W (Ta)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
12V
6.9 A
13A (Ta), 9.4A (Ta)
-
-
8 V
-
-
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
5.2 A
5.2A (Ta)
-
-
8 V
1.3 W
1.3W (Ta)
SI5475DDC-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- Rohs 声明 :