SI4431CDY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
9A Tc
4.5V 10V
1
2.5W Ta 4.2W Tc
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
32MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1006pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
89ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
-9A
阈值电压
-2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
-30V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI4431CDY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 : SI4431CDY SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-datasheet-8626562.pdf SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-datasheet-34181948.pdf SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-datasheet-62318692.pdf SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-datasheet-11720143.pdf SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-datasheet-14188510.pdf SI4431CDY-T1-GE3-Vishay-Siliconix-datasheet-62309583.pdf
- Rohs 声明 :