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SI4378DY-T1-E3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
19A Ta
2.5V 4.5V
1
1.6W Ta
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.7mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
85 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.7m Ω @ 25A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8500pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55nC @ 4.5V
上升时间
65ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
65 ns
连续放电电流(ID)
25A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
栅源电压
600 mV
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4378DY-T1-E3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
25 A
19A (Ta)
600 mV
12 V
1.6 W
1.6W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-15 A
15A (Ta)
-1.2 V
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
23 A
23A (Ta)
600 mV
8 V
3 W
3W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
23 A
23A (Ta)
-
12 V
3 W
3W (Ta)
SI4378DY-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
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