SI4100DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
6.8A Tc
6V 10V
1
2.5W Ta 6W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
63m Ω @ 4.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
4.4A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.063Ohm
漏源击穿电压
100V
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI4100DY-T1-GE3
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