![SI3456DDV-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sq3585evt1ge3-7819.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
6.3A Tc
4.5V 10V
1
1.7W Ta 2.7W Tc
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
40mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.7W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
325pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 10V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI3456DDV-T1-E3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
5 A
6.3A (Tc)
20 V
1.7 W
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
5.1 A
5.1A (Tc)
20 V
2 W
3W (Tc)
-
Surface Mount
SOT-23-6
30V
5.8 A
5.8A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
5.5 A
5.5A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta)
-
-
SC-74, SOT-457
30V
-
5.4A (Tc)
-
-
1.75W (Tc)
SI3456DDV-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :