SI3443CDV-T1-E3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
5.97A Tc
2.5V 4.5V
1
2W Ta 3.2W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
60mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 4.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.4nC @ 5V
上升时间
59ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
阈值电压
-600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.7A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
20V
栅源电压
-600 mV
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI3443CDV-T1-E3
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