SI2366DS-T1-GE3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
5.8A Tc
10V
1
1.25W Ta 2.1W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
335pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
栅源电压
1.2 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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- PCN 组装/原产地 :
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