SI2323DS-T1-E3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
3.7A Ta
1.8V 4.5V
1
750mW Ta
71 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
39mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
39m Ω @ 4.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 4.5V
上升时间
43ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs（最大值）
±8V
下降时间（典型值）
43 ns
连续放电电流(ID)
-4.7A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
栅源电压
-1 V
高度
1.02mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
SI2323DS-T1-E3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
-4.7 A
3.7A (Ta)
-1 V
8 V
1.25 W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
4.2 A
4.2A (Ta)
-
8 V
780 mW
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
4.2 A
4.2A (Ta)
1 V
8 V
800 mW
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
5 A
3.9A (Ta)
850 mV
8 V
750 mW
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
-4.9 A
3.6A (Ta)
-
10 V
810 mW
SI2323DS-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :