SI2316BDS-T1-E3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
4.5A Tc
4.5V 10V
1
1.25W Ta 1.66W Tc
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
50mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 3.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.6nC @ 10V
上升时间
65ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
65 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5A
漏源击穿电压
30V
高度
1.02mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRadiation Hardening
-
SI2316BDS-T1-E3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3.9 A
4.5A (Tc)
20 V
1.25 W
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
No
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2.5 A
2.5A (Ta)
20 V
750 mW
750mW (Ta)
No
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3.9 A
3.2A (Ta)
20 V
1.5 W
1W (Ta)
No
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3.1 A
3.6A (Tc)
12 V
1.1 W
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
No
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-2.7 A
3.5A (Tc)
20 V
1.1 W
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
No
SI2316BDS-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :