规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
2.5A Ta
4.5V 10V
1
750mW Ta
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
78mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
750mW
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
78m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
-2.5A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
栅源电压
-3 V
高度
1.02mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SI2307BDS-T1-E3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30V
-2.5 A
2.5A (Ta)
-3 V
20 V
750 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60V
-185 mA
185mA (Ta)
-3 V
20 V
350 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
1.15 A
1.15A (Ta)
4 V
20 V
730 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
3.9 A
3A (Ta)
3 V
20 V
750 mW
SI2307BDS-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 : SI2307BDS SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-5329908.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-62318591.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-23701047.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-7832045.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-9955281.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-11790758.pdf SI2307BDS-T1-E3-Vishay-datasheet-14187607.pdf
- Rohs 声明 :