SI2304BDS-T1-GE3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
2.6A Ta
4.5V 10V
1
750mW Ta
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
70mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
750mW
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
225pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4nC @ 5V
上升时间
12.5ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
12.5 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
阈值电压
2.25V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.6A
漏源击穿电压
30V
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
1.12mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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3.16A (Ta)
3 V
20 V
750 mW
750mW (Ta)
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2.7 A
2.7A (Ta)
-
20 V
1.08 W
1.08W (Ta)
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