![IRFP254PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247-3
质量
38.000013g
23A Tc
10V
1
190W Tc
74 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
140mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
190W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140mOhm @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2700pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 10V
上升时间
63ns
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
23A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
250V
输入电容
2.7nF
恢复时间
560 ns
漏源电阻
140mOhm
最大rds
140 mΩ
栅源电压
4 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFP254PBF
Through Hole
TO-247-3
250V
23 A
23A (Tc)
4 V
140 mΩ
20 V
190 W
190W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
30 A
30A (Tc)
4 V
-
20 V
214 W
214W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
250V
15 A
15A (Tc)
4 V
280 mΩ
20 V
150 W
150W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
200V
30 A
30A (Tc)
4 V
85 mΩ
20 V
190 W
190W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
200V
20 A
20A (Tc)
4 V
180 mΩ
20 V
150 W
150W (Tc)
IRFP254PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :