![IRFP22N50APBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247-3
质量
38.000013g
22A Tc
10V
1
277W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
230mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
500V
额定电流
22A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
277W
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3450pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
上升时间
94ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
47 ns
连续放电电流(ID)
22A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
输入电容
3.45nF
恢复时间
850 ns
漏源电阻
230mOhm
最大rds
230 mΩ
栅源电压
2 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFP22N50APBF
Through Hole
TO-247-3
500V
22 A
22A (Tc)
4 V
230 mΩ
30 V
277 W
277W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
20 A
20A (Tc)
4 V
-
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
500V
20 A
20A (Tc)
4 V
270 mΩ
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
400V
23 A
23A (Tc)
4 V
200 mΩ
30 V
280 W
280W (Tc)
IRFP22N50APBF PDF数据手册
- 数据表 : IRFP22N50A IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-8641406.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-13729108.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-62320614.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-101095.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-9907908.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-44060220.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-7578102.pdf IRFP22N50APBF-Vishay-datasheet-14187929.pdf
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :