![IRFBE20PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-irl540pbf-1406.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
1.8A Tc
10V
1
54W Tc
58 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
6.5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
800V
额定电流
1.8A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
54W
接通延迟时间
8.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
1.8A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
800V
输入电容
530pF
漏源电阻
6.5Ohm
最大rds
6.5 Ω
栅源电压
4 V
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFBE20PBF
Through Hole
TO-220-3
800V
1.8 A
1.8A (Tc)
4 V
6.5 Ω
20 V
54 W
54W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
2 A
2A (Tc)
4 V
-
30 V
54 W
54W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
1000V
1.4 A
1.4A (Tc)
4 V
11 Ω
20 V
54 W
54W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
600V
2.2 A
2.2A (Tc)
4 V
4.4 Ω
20 V
50 W
50W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
900V
1.7 A
1.7A (Tc)
4 V
8 Ω
20 V
54 W
54W (Tc)
IRFBE20PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :