IRF630PBF
TO-220-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
9A Tc
10V
1
74W Tc
39 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
400mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
74W
接通延迟时间
9.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
上升时间
28ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
800pF
漏源电阻
400mOhm
最大rds
400 mΩ
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF630PBF
Through Hole
TO-220-3
200V
9 A
9A (Tc)
4 V
400 mΩ
20 V
74 W
74W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
9.3 A
9.3A (Tc)
4 V
-
20 V
82 W
82W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
9.5 A
9.5A (Tc)
-
-
30 V
72 W
72W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
250V
8.1 A
8.1A (Tc)
4 V
450 mΩ
20 V
74 W
74W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
9.5 A
9.5A (Tc)
-
-
20 V
75 W
75W (Tc)
IRF630PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :