![NTQD6968NR2](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-pacdn044tr-1922.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.39W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.81W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
6.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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NTQD6968NR2
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8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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12 V
1 W
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NTQD6968NR2 PDF数据手册
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