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DMN2019UTS-13
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
质量
157.991892mg
562 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
18.5mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
780mW
基本部件号
DMN2019
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
53 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.5m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
143pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8nC @ 4.5V
上升时间
78ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
234 ns
连续放电电流(ID)
5.4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationNumber of PinsOperating Temperature
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DMN2019UTS-13
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
5.4 A
12 V
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DMN2019UTS-13 PDF数据手册
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