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DMN2019UTS-13

型号:

DMN2019UTS-13

封装:

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

数据表:

DMN2019UTS

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    157.991892mg

  • 562 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    18.5mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    780mW

  • 基本部件号

    DMN2019

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    53 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18.5m Ω @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    950mV @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    143pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    78ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    234 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Number of Pins
    Operating Temperature
  • DMN2019UTS-13

    DMN2019UTS-13

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    20V

    5.4 A

    12 V

    780 mW

    8

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • DMN2040LTS-13

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    -

    6.7 A

    12 V

    890 mW

    8

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • NTQD6968NR2

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    -

    6.2 A

    12 V

    1.39 W

    8

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • NTQD6968N

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    -

    6.2 A

    12 V

    1.39 W

    8

    -55°C ~ 150°C (TJ)

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