![NTHD4401PT1](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-nthd4p02ft1-0686.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
1.1W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-2.1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
NTHD4401P
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.1W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
155m Ω @ 2.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
2.1A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.155Ohm
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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NTHD4401PT1
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20V
2 A
12 V
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20V
-3.7 A
8 V
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2.8 W
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NTHD4401PT1 PDF数据手册
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