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MCH6660-TL-W

型号:

MCH6660-TL-W

封装:

6-SMD, Flat Leads

数据表:

MCH6660

描述:

MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2A 1.5A

  • 2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    136m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    128pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.8nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 1.8V Drive

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
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    Package / Case
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    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Mounting Type
  • MCH6660-TL-W

    MCH6660-TL-W

    Surface Mount

    6-SMD, Flat Leads

    20V

    1.5 A

    2A, 1.5A

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    20V

    2 A

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    -

    Surface Mount

MCH6660-TL-W PDF数据手册