![FDME1023PZT](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fdme1024nzt-8313.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
包装/外壳
6-UFDFN Exposed Pad
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
6
质量
25.2mg
晶体管元件材料
SILICON
33 ns
2
已出版
2009
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
ESD PROTECTION
最大功率耗散
1.4W
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.7 ns
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
142m Ω @ 2.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
405pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7nC @ 4.5V
上升时间
4.8ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
2.6A
阈值电压
-600mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
-600 mV
反馈上限-最大值 (Crss)
75 pF
宽度
1.6mm
长度
1.6mm
高度
500μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
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FDME1023PZT
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6-UFDFN Exposed Pad
20V
2.6 A
-600 mV
8 V
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1.3 A
950 mV
8 V
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20V
1.17 A
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2.11 A
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530 mW
1.39 W
FDME1023PZT PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :