![NTQD6866R2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-pacdn044tr-1922.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
940mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
6.9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 6.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 4.5V
上升时间
45ns
下降时间(典型值)
90 ns
连续放电电流(ID)
4.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.032Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
175 pF
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationNumber of PinsOperating Temperature
-
NTQD6866R2G
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
4.7 A
12 V
940 mW
2 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
4.5 A
12 V
600 mW
1 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
5.5 mA
12 V
600 mW
1 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
NTQD6866R2G PDF数据手册
- 数据表 :
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