![NTHD2102PT1](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-nthd4p02ft1-0686.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
电压 - 额定直流
-8V
最大功率耗散
1.1W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-3.4A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
NTHD2102P
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.1W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
58m Ω @ 3.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
715pF @ 6.4V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 2.5V
上升时间
20ns
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
3.4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-8V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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10 V
1 W
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NTHD2102PT1 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :