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NTHD2102PT1

型号:

NTHD2102PT1

封装:

8-SMD, Flat Lead

数据表:

NTHD2102P

描述:

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 电压 - 额定直流

    -8V

  • 最大功率耗散

    1.1W

  • 终端形式

    C BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    -3.4A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    NTHD2102P

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.1W

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    58m Ω @ 3.4A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    715pF @ 6.4V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 2.5V

  • 上升时间

    20ns

  • 下降时间(典型值)

    20 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    -8V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    4.6A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Max Power Dissipation
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Part Status
  • NTHD2102PT1

    NTHD2102PT1

    Surface Mount

    8-SMD, Flat Lead

    3.4 A

    8 V

    1.1 W

    1.1 W

    1 (Unlimited)

    Obsolete

  • EMH2801-TL-H

    Surface Mount

    8-SMD, Flat Lead

    5.4 A

    8 V

    1.3 W

    -

    1 (Unlimited)

    Obsolete

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    Surface Mount

    8-SMD, Flat Lead

    3 A

    10 V

    1 W

    -

    1 (Unlimited)

    Obsolete

NTHD2102PT1 PDF数据手册