生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

2

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

500V

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

额定电流

370mA

基本部件号

FQS4903

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.2 Ω @ 185mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 10V

上升时间

20ns

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

370mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.37A

漏源击穿电压

500V

双电源电压

500V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

4 V

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free