FDS8949
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
2
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
29mOhm
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
额定电流
6A
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
29m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 5V
上升时间
5ns
下降时间（典型值）
3 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
40V
双电源电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.9 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDS8949
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6 A
1.9 V
20 V
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2 W
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1.9 V
20 V
-
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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2 V
20 V
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2 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.8 A
1.4 V
20 V
3.1 W
3 W
8
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4.4 A
1.9 V
20 V
900 mW
2 W
8
FDS8949 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :