你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

FDC8602

型号:

FDC8602

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表:

FDC8602

描述:

MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    35 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 5.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 最大功率耗散

    690mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    690mW

  • 接通延迟时间

    3.5 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    350m Ω @ 1.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    70pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2nC @ 10V

  • 上升时间

    1.7ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 下降时间(典型值)

    2.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.2A

  • 阈值电压

    3.2V

  • JEDEC-95代码

    MO-193AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.35Ohm

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Standard

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

相关型号