规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
120mA
2
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-25V
最大功率耗散
900mW
终端形式
GULL WING
额定电流
-120mA
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
900mW
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.31nC @ 4.5V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
-120mA
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-25V
双电源电压
-25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
-1 V
高度
1.12mm
长度
3mm
宽度
1.68mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC6302P
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FDC6302P PDF数据手册
- 数据表 : FDC6302P FDC6302P-ON-Semiconductor-datasheet-30527.pdf FDC6302P-ON-Semiconductor-datasheet-85466421.pdf FDC6302P..-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67809755.pdf FDC6302P...-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67131884.pdf FDC6302P...-ON-Semiconductor-datasheet-86694831.pdf FDC6302P-Fairchild-datasheet-8637646.pdf FDC6302P-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10844635.pdf
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