NGTB50N60S1WG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
600V
400V, 50A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
417W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
417W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
100A
反向恢复时间
94 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 50A
IGBT类型
Trench
闸门收费
220nC
集极脉冲电流（Icm）
200A
Td（开/关）@25°C
100ns/237ns
开关能量
1.5mJ (on), 460μJ (off)
高度
21.4mm
长度
16.25mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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NGTB50N60S1WG PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 到达声明 :