FGL60N100BNTD
TO-264-3, TO-264AA
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
引脚数
3
质量
6.756g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
600V, 60A, 51 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
1kV
最大功率耗散
180W
额定电流
60A
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
180W
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
320ns
集电极发射器电压(VCEO)
1kV
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
1.2 μs
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000V
最大击穿电压
1kV
接通时间
460 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.9V @ 15V, 60A
关断时间-标准值（toff)
760 ns
IGBT类型
NPT and Trench
闸门收费
275nC
集极脉冲电流（Icm）
120A
Td（开/关）@25°C
140ns/630ns
高度
26mm
长度
20mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FGL60N100BNTD
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TO-264-3, TO-264AA
600 V
1000V
60 A
180 W
180 W
1.5 V
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TO-264-3, TO-264AA
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1200V
64 A
500 W
500 W
3.15 V
Through Hole
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600 V
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160 A
250 W
250 W
2.1 V
Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
600 V
-
80 A
250 W
250 W
2.2 V
Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
1.2 kV
1200V
70 A
368 W
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FGL60N100BNTD PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :