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FGH40N60UFDTU

型号:

FGH40N60UFDTU

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.39g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 600V

  • 1

  • 400V, 40A, 10 Ω, 15V

  • 112 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    LOW CONDUCTION LOSS

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 最大功率耗散

    290W

  • 基本部件号

    FGH40N60

  • 元素配置

    Single

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 功率 - 最大

    290W

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    80A

  • 反向恢复时间

    45 ns

  • JEDEC-95代码

    TO-247AB

  • 接通时间

    110 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.4V @ 15V, 40A

  • 关断时间-标准值(toff)

    190 ns

  • IGBT类型

    Field Stop

  • 闸门收费

    120nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    120A

  • Td(开/关)@25°C

    24ns/112ns

  • 开关能量

    1.19mJ (on), 460μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • 最大下降时间 (tf)

    100ns

  • 高度

    20.6mm

  • 长度

    15.6mm

  • 宽度

    4.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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